время задержки импульса

время задержки импульса
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]

Тематики

• электротехника, основные понятия

EN

• pulse trailing-edge time

116. Время задержки импульса тока репликатора ЦМД t_з.р

Время задержки импульса тока репликатора

Ндп. Время задержки импульса тока репликации

Источник: ГОСТ 28111-89: Микросборки на цилиндрических магнитных доменах. Термины и определения оригинал документа

время задержки импульса интегральной микросхемы
время задержки
Интервал времени между нарастаниями входного и выходного импульсов интегральной микросхемы, измеренный на уровне 0,1 или на заданном уровне напряжения или тока.
Обозначение
t_зд
t_d
[ ГОСТ 19480-89]

Тематики

• микросхемы

Синонимы

• время задержки

EN

• delay time

FR

• temps de délai

112. Время задержки импульса тока генератора ЦМД t_з.г^**

Время задержки импульса генератора

Источник: ГОСТ 28111-89: Микросборки на цилиндрических магнитных доменах. Термины и определения оригинал документа

113. Время задержки импульса тока переключателя ввода ЦМД t_з.вв

Время задержки импульса тока ввода

Источник: ГОСТ 28111-89: Микросборки на цилиндрических магнитных доменах. Термины и определения оригинал документа

114. Время задержки импульса тока переключателя вывода ЦМД t_з.в

Время задержки импульса тока вывода

Источник: ГОСТ 28111-89: Микросборки на цилиндрических магнитных доменах. Термины и определения оригинал документа

115. Время задержки импульса тока обменного переключателя ЦМД t_з.об

Время задержки импульса тока обменного переключателя

Источник: ГОСТ 28111-89: Микросборки на цилиндрических магнитных доменах. Термины и определения оригинал документа

время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
время задержки при включении
t_зд.из
t_d
Интервал времени между 10% значения импульса тока и 10% значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
[ ГОСТ 27299-87]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• параметры полупроводниковых излучателей

Синонимы

• время задержки при включении

EN

• turn-on delay time

29. Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя

Время задержки при включении

Turn-on delay time

t_зд.из

Интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов

Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

время задержки тиристора
Интервал времени между заданным моментом в начале импульса отпирающего тока управления тиристора или импульса отпирающего напряжения тиристора и моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению при включении тиристора отпирающим током управления или переключением импульсным отпирающим напряжением.
Обозначение
t_у,зд, t_зд
t_gd, t_d
Примечание
Время задержки может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения.
[ ГОСТ 20332-84] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• delay time

FR

• retard à la croissance

111. Время задержки тиристора

E. Delay time

F. Retard à la croissance

t_у,зд, t_зд

Интервал времени между заданным моментом в начале импульса отпирающего тока управления тиристора или импульса отпирающего напряжения тиристора и моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению при включении тиристора отпирающим током управления или переключением импульсным отпирающим напряжением.

Примечание. Время задержки может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения

Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

время задержки для биполярного транзистора
Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды.
Обозначение
t_зд
t_d
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• delay time

DE

• Verzögerungszeit

FR

• retard à la croissance

36. Время задержки для биполярного транзистора

D. Verzögerungszeit

E. Delay time

F. Retard à la croissance

t_зд

Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

время задержки включения полевого транзистора
время задержки включения
Интервал времени между 10%-ным значением амплитуды фронта входного импульса, включающего полевой транзистор, и 10%-ным значением амплитуды фронта выходного импульса.
Обозначение
t_зд.вкл
t_d(on)
[ ГОСТ 19095-73] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

Синонимы

• время задержки включения

EN

• turn-on delay time

DE

• Einschaltverzögerungszeit

FR

• retard à la croissance

время задержки выключения полевого транзистора
время задержки выключения
Интервал времени между 90%-ным значением амплитуды среза входного импульса, вызвавшего включение полевого транзистора, и 90%-ным значением амплитуды среза выходного импульса.
Обозначение
t_{зд.выкл}
t_d(off)
[ ГОСТ 19095-73] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

Синонимы

• время задержки выключения

EN

• turn-off delay time

DE

• Ausschaltverzögerungszeit

FR

• retard à la décroissance